Praktikum: Elektronische Bauelemente

Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. M. Viehmann

Praktikumsbetreuung: Dr.-Ing. B. Lustermann, Dipl.-Ing. (FH) M. Franz

Raum: Haus 20, Raum 20.0306 - Labor Schaltungs- und Prozessortechnik

Versuch: ELB 1
Thema: Halbleiterdiode, Leuchtdiode

Anhand von Grundschaltungen mit Leuchtdioden und Z-Dioden sowie Gleichrichter-Grundschaltungen werden die elektrischen Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten von Dioden untersucht.

Versuch: ELB 2
Thema: Bipolartransistor

Ziel des Versuches ist es, sich mit dem Verhalten und den Kenngrößen von
Bipolartransistoren vertraut zu machen. Es wird die Arbeitsweise als Verstärker und
als Schalter untersucht. Grundlagen des Versuchs sind die Darlegungen über
Transistoren der Vorlesung „Bauelemente und Grundschaltungen“. Die Fertigkeiten
im Umgang mit Messtechnik werden vertieft.

Versuch: ELB 3
Thema: Operationsverstärker

Auf der Grundlage von Aufgabenstellungen zum Operationsverstärker als Verstärker
und Schalter (Komparator) werden der Schaltungsentwurf und der praktische Test
durchgeführt, mit dem Ziel, die Fähigkeiten und Fertigkeiten in der Schaltungstechnik und Messtechnik weiter auszuprägen. In diesem Zusammenhang
wird der Umgang mit Datenblättern und Analogschaltkreisen geübt.

Versuch: ELB 4
Thema: Leistungselektronische Baugruppe mit IGBT

Im Mittelpunkt steht eine leistungselektronische Schalteranordnung, gebildet aus: Optokoppler, IGBT-Treiberschaltkreis, IGBT. Folgende Aspekte werden im Versuch behandelt: galvanische Trennung, IGBT-Ansteuerung, Schalterbetrieb IGBT, Schaltkreisverluste, SiC-Bauelemente, thermische Analyse.