Inhalt

Versuch: ELB 1

Thema: Halbleiterdiode, Leuchtdiode

Anhand von Grundschaltungen mit Leuchtdioden und Z-Dioden sowie Gleichrichter-Grundschaltungen werden die elektrischen Eigenschaften und Einsatzmöglichkeiten von Dioden untersucht.

Versuch: ELB 2

Thema: Bipolartransistor

Ziel des Versuches ist es, sich mit dem Verhalten und den Kenngrößen von

Bipolartransistoren vertraut zu machen. Es wird die Arbeitsweise als Verstärker und

als Schalter untersucht. Grundlagen des Versuchs sind die Darlegungen über

Transistoren der Vorlesung „Bauelemente und Grundschaltungen“. Die Fertigkeiten

im Umgang mit Messtechnik werden vertieft.

Versuch: ELB 3

Thema: Operationsverstärker

Auf der Grundlage von Aufgabenstellungen zum Operationsverstärker als Verstärker

und Schalter (Komparator) werden der Schaltungsentwurf und der praktische Test

durchgeführt, mit dem Ziel, die Fähigkeiten und Fertigkeiten in der Schaltungstechnik und Messtechnik weiter auszuprägen. In diesem Zusammenhang

wird der Umgang mit Datenblättern und Analogschaltkreisen geübt.

Versuch: ELB 4

Thema: Leistungselektronische Baugruppe mit IGBT

Im Mittelpunkt steht eine leistungselektronische Schalteranordnung, gebildet aus: Optokoppler, IGBT-Treiberschaltkreis, IGBT. Folgende Aspekte werden im Versuch behandelt: galvanische Trennung, IGBT-Ansteuerung, Schalterbetrieb IGBT, Schaltkreisverluste, SiC-Bauelemente, thermische Analyse.